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| 【清洗】硅拋光片的化學清洗辦法有哪些 |
| （時間:2012-7-26 10:56:52） |
硅片的表面受到比較嚴重的污染，這時候可以考慮使用如下幾種化學清洗方法進行清潔：a.使用強氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。
b.用無害的小直徑強正離子(如H+)來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。
c.用大量去離水進行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子。自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來，例如：
⑴美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術。
⑵美國原CFM公司推出的Full-Flowsystems封閉式溢流型清洗技術。
⑶美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(例GoldfingerMach2清洗系統)。
⑷美國SSEC公司的雙面檫洗技術(例M3304DSS清洗系統)。
⑸日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(用電介超純離子水清洗)使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平。
⑹以HF/O3為基礎的硅片化學清洗技術。
目前常用H2O2作強氧化劑，選用HCL作為H+的來源用于清除金屬離子。SC-1是H2O2和NH4OH的堿性溶液，通過H2O2的強氧化和NH4OH的溶解作用，使有機物沾污變成水溶性化合物，隨去離子水的沖洗而被排除。由于溶液具有強氧化性和絡合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其變成高價離子，然后進一步與堿作用，生成可溶性絡合物而隨去離子水的沖洗而被去除。目前市場上都有售賣此類清潔劑。
為此用SC-1液清洗拋光片既能去除有機沾污，亦能去除某些金屬沾污。SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有極強的氧化性和絡合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。被氧化的金屬離子與CL-作用生成的可溶性絡合物亦隨去離子水沖洗而被去除。在使用SC-1液時結合使用兆聲波來清洗可獲得更好的效果。
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